Voltage Distribution Across a String of Insulator MCQ Quiz in हिन्दी - Objective Question with Answer for Voltage Distribution Across a String of Insulator - मुफ्त [PDF] डाउनलोड करें

स्ट्रिंग दक्षता (η):

स्ट्रिंग दक्षता को स्ट्रिंग में वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है, जो स्ट्रिंग्स की संख्या और इकाई आसन्न स्ट्रिंग में वोल्टेज के गुणनफल के रूप में होता है।

$\eta =\frac{V}{n\times V_n}$

जहाँ,

V (= V1 + V2 + .... Vn) स्ट्रिंग में वोल्टेज है।
Vn चालक के पास नीचे की डिस्क में वोल्टेज है
n एक स्ट्रिंग में डिस्क की संख्या है

गणना:

नीचे दिखाए गए तीन-डिस्क शिरोपरि संचरण लाइन पर विचार करें:

यदि 'C' स्व-धारिता का मान है, तो पिन से भूमि धारिता को निम्न द्वारा दिया जाता है:

पिन से भूमि धारिता = KC

KCL को नोड 'A' पर लागू करना

I2 = I1 + i1

V2ωC  = V1ωC  + V1KωC

V2 = V1 (1+K)

11 = 8 (1+K)

K = 0.375

KCL को नोड 'B' पर लागू करने पर

I3 = I2 + i2

V3ωC  = V2ωC + (V1 + V2)KωC

V3 = V2 + (V1 + V2)K

V3 = 11 + (8 + 11)0.375

V3 = 18.12kV

स्ट्रिंग में वोल्टेज = V1 + V2 + V3

स्ट्रिंग में वोल्टेज = 8 + 11 + 18.12 = 37.12kV

% स्ट्रिंग दक्षता = $\frac{37.12}{3\times 18.12}\times 100$

% स्ट्रिंग दक्षता = 68.28%

समकक्ष परिपथ को नीचे दर्शाया गया है। 

V₁ = 8 kV, V₂ = 11 kV

माना कि K स्वः-धारिता के लिए पिन और भूमि के बीच धारिता का अनुपात है। 

A पर KCL लागू करने पर,

 I₂ = I₁ + i₁

⇒ V₂ωC = V₁ωC + V₁ωKC

⇒ V₂ = V₁ (1 + K)

⇒ 11 = 8 (1 + K)

⇒ K = 0.375

निलंबन अवरोधी की एक स्ट्रिंग पर वोल्टेज वितरण के संबंध में महत्वपूर्ण बिंदु इस प्रकार हैं:

1) शंट संधारित्र की उपस्थिति के कारण, निलंबन अवरोधी में वोल्टेज प्रत्येक डिस्क में समान रूप से वितरित नहीं होता है।

2) चालक के निकटतम डिस्क में वोल्टेज अन्य डिस्क से अधिकतम होता है।

3) चालक के नजदीकी इकाई अधिकतम विद्युत तनाव के तहत है और इसे पंक्चर किया जा सकता है।

4) डीसी वोल्टेज की स्थिति में, प्रत्येक इकाई में वोल्टेज समान होगा। ऐसा इसलिए है क्योंकि डीसी के लिए अवरोधी धारिता अप्रभावी होती है।

गणना:

$Foruniformdistribution,I_1=I_1^{\prime }and{I}_2=I_2^{\prime }$

$I_1=I_1^{\prime }$

$\Rightarrow \left(4\right)V\omega =C_1\left(\omega \right)\left(2V\right)$

$\Rightarrow C_1=2\mu F$

$I_2=I_2^{\prime }$

$\Rightarrow \left(4\right)\omega \left(2V\right)=c_2\omega \left(V\right)$

$\Rightarrow C_2=8\mu F$

स्ट्रिंग दक्षता (η):

स्ट्रिंग दक्षता को स्ट्रिंग में वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है, जो स्ट्रिंग्स की संख्या और इकाई आसन्न स्ट्रिंग में वोल्टेज के गुणनफल के रूप में होता है।

$\eta =\frac{V}{n\times V_n}$

जहाँ,

V (= V1 + V2 + .... Vn) स्ट्रिंग में वोल्टेज है।
Vn चालक के पास नीचे की डिस्क में वोल्टेज है
n एक स्ट्रिंग में डिस्क की संख्या है

गणना:

नीचे दिखाए गए तीन-डिस्क शिरोपरि संचरण लाइन पर विचार करें:

यदि 'C' स्व-धारिता का मान है, तो पिन से भूमि धारिता को निम्न द्वारा दिया जाता है:

पिन से भूमि धारिता = KC

KCL को नोड 'A' पर लागू करना

I2 = I1 + i1

V2ωC  = V1ωC  + V1KωC

V2 = V1 (1+K)

11 = 8 (1+K)

K = 0.375

KCL को नोड 'B' पर लागू करने पर

I3 = I2 + i2

V3ωC  = V2ωC + (V1 + V2)KωC

V3 = V2 + (V1 + V2)K

V3 = 11 + (8 + 11)0.375

V3 = 18.12kV

स्ट्रिंग में वोल्टेज = V1 + V2 + V3

स्ट्रिंग में वोल्टेज = 8 + 11 + 18.12 = 37.12kV

% स्ट्रिंग दक्षता = $\frac{37.12}{3\times 18.12}\times 100$

% स्ट्रिंग दक्षता = 68.28%

स्ट्रिंग दक्षता (η):

स्ट्रिंग दक्षता को स्ट्रिंग में वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है, जो स्ट्रिंग्स की संख्या और इकाई आसन्न स्ट्रिंग में वोल्टेज के गुणनफल के रूप में होता है।

$\eta =\frac{V}{n\times V_n}$

जहाँ,

V (= V1 + V2 + .... Vn) स्ट्रिंग में वोल्टेज है।
Vn चालक के पास नीचे की डिस्क में वोल्टेज है
n एक स्ट्रिंग में डिस्क की संख्या है

गणना:

नीचे दिखाए गए तीन-डिस्क शिरोपरि संचरण लाइन पर विचार करें:

यदि 'C' स्व-धारिता का मान है, तो पिन से भूमि धारिता को निम्न द्वारा दिया जाता है:

पिन से भूमि धारिता = KC

KCL को नोड 'A' पर लागू करना

I2 = I1 + i1

V2ωC  = V1ωC  + V1KωC

V2 = V1 (1+K)

11 = 8 (1+K)

K = 0.375

KCL को नोड 'B' पर लागू करने पर

I3 = I2 + i2

V3ωC  = V2ωC + (V1 + V2)KωC

V3 = V2 + (V1 + V2)K

V3 = 11 + (8 + 11)0.375

V3 = 18.12kV

स्ट्रिंग में वोल्टेज = V1 + V2 + V3

स्ट्रिंग में वोल्टेज = 8 + 11 + 18.12 = 37.12kV

% स्ट्रिंग दक्षता = $\frac{37.12}{3\times 18.12}\times 100$

% स्ट्रिंग दक्षता = 68.28%

निलंबन अवरोधी की एक स्ट्रिंग पर वोल्टेज वितरण के संबंध में महत्वपूर्ण बिंदु इस प्रकार हैं:

1) शंट संधारित्र की उपस्थिति के कारण, निलंबन अवरोधी में वोल्टेज प्रत्येक डिस्क में समान रूप से वितरित नहीं होता है।

2) चालक के निकटतम डिस्क में वोल्टेज अन्य डिस्क से अधिकतम होता है।

3) चालक के नजदीकी इकाई अधिकतम विद्युत तनाव के तहत है और इसे पंक्चर किया जा सकता है।

4) डीसी वोल्टेज की स्थिति में, प्रत्येक इकाई में वोल्टेज समान होगा। ऐसा इसलिए है क्योंकि डीसी के लिए अवरोधी धारिता अप्रभावी होती है।

गणना:

$Foruniformdistribution,I_1=I_1^{\prime }and{I}_2=I_2^{\prime }$

$I_1=I_1^{\prime }$

$\Rightarrow \left(4\right)V\omega =C_1\left(\omega \right)\left(2V\right)$

$\Rightarrow C_1=2\mu F$

$I_2=I_2^{\prime }$

$\Rightarrow \left(4\right)\omega \left(2V\right)=c_2\omega \left(V\right)$

$\Rightarrow C_2=8\mu F$

समकक्ष परिपथ को नीचे दर्शाया गया है। 

V₁ = 8 kV, V₂ = 11 kV

माना कि K स्वः-धारिता के लिए पिन और भूमि के बीच धारिता का अनुपात है। 

A पर KCL लागू करने पर,

 I₂ = I₁ + i₁

⇒ V₂ωC = V₁ωC + V₁ωKC

⇒ V₂ = V₁ (1 + K)

⇒ 11 = 8 (1 + K)

⇒ K = 0.375