सिलिकॉन डायोड के लिए (मान लीजिए rf  = 0), चित्र में ID का मान होगा :

F1 Madhuri Engineering 19.12.2022 D19

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KVS TGT WET (Work Experience Teacher) 23 Dec 2018 Official Paper
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  1. 2 mA
  2. 1 mA
  3. 3.32 mA
  4. 4.9 mA

Answer (Detailed Solution Below)

Option 3 : 3.32 mA
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संकल्पना:

अग्र बायसित स्थिति में → डायोड को इसके अवरोधी विभव के (सिलिकॉन 0.7 वी के लिए) परिपथ और समकक्ष अग्र प्रतिरोध rf (यदि दिया ना गया हो तो इसका मान शून्य ले सकते हैं) के समकक्ष मान वाले एक बैटरी स्रोत द्वारा प्रतिस्थापित किया जाना चाहिए। 

पास्चय दिशिकबायसन की स्थिति में → डायोड को खुले परिपथ से परिवर्तित (बदला जाना) किया जाना चाहिए। 

गणना:

दी गयी व्यवस्था में डायोड अग्रबायसित है;

F1 Madhuri Engineering 19.12.2022 D20

तब;

ID = (8-0.7)/2.2 = 3.32 mA 

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